Bei CVD handelt es sich um einen chemischen Abscheidungsprozeß aus der Gasphase. Prozessgase werden dosiert in die Reaktionszone über dem Substart geleitet und reagieren dort zur gewünschten Schicht ab. Wichtige Parameter neben der Wahl des geeigneten Precursors sind die Gaszu- und Abtransport. Edukte müssen stetig und konstant nachgeliefert werden, Reaktionsnebenprodukte müssen laufend aus der Reaktionszone entfernt werden. Das CVD-Verfahren bei Limedion wird in Prototypapparaturen, die auch von Limedion konzipiert wurden, für kleine Bauteile oder Flächen durchgeführt. In der klassischen Form von CVD wird eine flüchtige Verbindung über eine heiße Oberfläche geleitet, wobei sie sich thermisch zersetzt. So können z.B. Bauteile ausgehend von TiCl4, TaCl5, WF6 mit Ti, Ta, W beschichtet werden. Dabei sind Schichtdicken zwischen 10 und 100µm üblich. Vorteile sind die Streufähigkeit der Abscheidung und die apparative Einfachheit. Nachteilig sind das Auftreten von gasförmigen Abfällen (Cl2,F2,HCl etc.) und die benötigten relativ hohen Substrattemperaturen. Eine Temperatursenkung kann man durch Verwendung von metallorganischen Precursoren (z.B. Ni(CO)4) mit niedriger Zersetzungstemperatur erreichen und/oder einer Zersetzung in einem Plasma nahe der Substratoberfläche (PACVD). Eine weitere Verfahrensvariante ist das Ionenstrahl-CVD, bei dem die Precursoren durch einen gerichteten Ionenbeschuss zersetzt werden. Diese eignet sich besonders zur Beschichtung oder Bearbeitung kleiner Bereiche innerhalb eines großen Bauteils oder Substrats bis hin zu einer mikrostrukturierten Abscheidung bei Verwendung von Masken oder fokussierten Ionenstrahlen.
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